M93S66-WMN6T和M93S66-WMN6TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M93S66-WMN6T M93S66-WMN6TP M93S66-WMN6P

描述 4k位, 2Kbit和1K位, 16位宽的MICROWIRE串行EEPROM的访问与块保护 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block ProtectionPROM 串行 Microwire,STMicroelectronics工业标准 MICROWIRE™ 总线 ### EEPROM 串行存取 - STMicroelectronics4k位, 2Kbit和1K位, 16位宽的MICROWIRE串行EEPROM的访问与块保护 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 - 2 MHz 2 MHz

工作电压 - - 2.5V ~ 5.5V

供电电流 - 2 mA 2 mA

时钟频率 - 2 MHz 2.00MHz (max)

内存容量 - - 4000 B

输入电容 - - 5 pF

上升时间 - - 50 ns

下降时间 - - 50 ns

存取时间(Max) - 200 ns 200 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

针脚数 - 8 -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 2.5 V -

长度 5 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.65 mm 1.25 mm 1.65 mm

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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