JAN2N3847和JANTXV2N3847

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3847 JANTXV2N3847 JANTX2N3847

描述 Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin,NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORPower Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin,

数据手册 ---

制造商 Solitron Devices Microsemi (美高森美) Solitron Devices

分类

基础参数对比

封装 - TO-63 -

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V -

集电极最大允许电流 - 20A -

封装 - TO-63 -

产品生命周期 Active Obsolete Active

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