JAN1N4108-1和JANTXV1N4108-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N4108-1 JANTXV1N4108-1 1N4108

描述 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODESZener Diode

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35-2 DO-35 -

容差 ±5 % ±5 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

耗散功率 480 mW 480 mW -

测试电流 0.25 mA 0.25 mA -

稳压值 14 V 14 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

封装 DO-35-2 DO-35 -

长度 5.08 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 -

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