对比图
型号 CY7C1354C-200BGC IS61NLP25636A-200B2LI
描述 9兆位（ 256千×五百十二分之三十六K＆times 18 ）流水线SRAM与NOBL ™架构 9-Mbit (256 K × 36/512 K × 18) Pipelined SRAM with NoBL? Architecture静态随机存取存储器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 119 119
封装 BGA-119 BGA-119
供电电流 220 mA -
存取时间 3.2 ns 3.1 ns
存取时间(Max) 3.2 ns 3.1 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.465V
电源电压(Max) 3.6 V -
电源电压(Min) 3.135 V -
位数 - 36
高度 1.46 mm -
封装 BGA-119 BGA-119
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
ECCN代码 - EAR99