对比图
描述 ZXMN3B14 系列 30 V 0.08 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23TO-236AB N-CH 30V 4.7A
数据手册 --
制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 1.5 W 2 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 4.70 A
输入电容(Ciss) 568pF @15V(Vds) 350pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 2 W
耗散功率(Max) 1W (Ta) 280 mW
额定电压(DC) 30.0 V -
额定电流 3.50 A -
漏源极电阻 140 mΩ -
输入电容 568 pF -
栅电荷 6.70 nC -
漏源击穿电压 30.0 V -
栅源击穿电压 ±12.0 V -
上升时间 4.9 ns -
下降时间 9.8 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
ECCN代码 EAR99 -