ZXMN3B14FTA和PMV60EN,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZXMN3B14FTA PMV60EN,215

描述 ZXMN3B14 系列 30 V 0.08 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23TO-236AB N-CH 30V 4.7A

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 1.5 W 2 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3.50 A 4.70 A

输入电容(Ciss) 568pF @15V(Vds) 350pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2 W

耗散功率(Max) 1W (Ta) 280 mW

额定电压(DC) 30.0 V -

额定电流 3.50 A -

漏源极电阻 140 mΩ -

输入电容 568 pF -

栅电荷 6.70 nC -

漏源击穿电压 30.0 V -

栅源击穿电压 ±12.0 V -

上升时间 4.9 ns -

下降时间 9.8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

ECCN代码 EAR99 -

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