对比图
型号 TD62004AFG ULN2003A ULN2003D1013TR
描述 SOP NPN 50V 0.5ASTMICROELECTRONICS ULN2003A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIPSTMICROELECTRONICS ULN2003D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 SOP DIP-16 SOIC-16
引脚数 - 16 16
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 0.5A - -
额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V
额定电流 - 500 mA 500 mA
输出接口数 - 7 7
输出电压 - ≤50.0 V 50 V
输出电流 - - 500 mA
通道数 - 7 7
针脚数 - 16 16
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @350mA, 2V 1000 @350mA, 2V
输出电流(Max) - 500 mA 500 mA
直流电流增益(hFE) - 1000 1000
工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
输入电压 - - 30 V
耗散功率 - 2.25 W -
输入电容 - 15.0 pF -
封装 SOP DIP-16 SOIC-16
长度 - 20 mm 10 mm
宽度 - 7.1 mm 4 mm
高度 - 5.1 mm 1.65 mm
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR