对比图
型号 934055423127 PHE13005X,127 PHE13005X
描述 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, SC-46, 3 PINTrans GP BJT NPN 400V 4A 3Pin(3+Tab) TO-220F Rail硅扩散型功率晶体管 Silicon diffused power transistor
数据手册 ---
制造商 We En Semiconductor NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
封装 - TO-220-3 TO-220
安装方式 - Through Hole -
封装 - TO-220-3 TO-220
产品生命周期 Active Active Unknown
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
击穿电压(集电极-发射极) - 400 V -
最小电流放大倍数(hFE) - 10 @2A, 5V -
额定功率(Max) - 26 W -
工作温度 - 150℃ (TJ) -