对比图
型号 IRLL3303TR IRLL3303TRPBF IRLL3303PBF
描述 SOT-223 N-CH 30V 6.5AINFINEON IRLL3303TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 0.031 ohm, 10 V, 1 VINFINEON IRLL3303PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 31 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 4.60 A - -
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 1W (Ta) 1 W 2.1 W
产品系列 IRLL3303 - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 4.60 A 6.5A 6.5A
上升时间 22 ns 22 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 840pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds)
下降时间 28 ns 28 ns 28 ns
耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
额定功率 - 2.1 W 1 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.031 Ω 0.031 Ω
阈值电压 - 1 V 1 V
输入电容 - 840 pF -
额定功率(Max) - 1 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 30 V
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
长度 - 6.7 mm 6.7 mm
宽度 - 3.7 mm 3.7 mm
高度 - 1.739 mm 1.7 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -