IDT71256S70DB和IDT71256S70TDB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71256S70DB IDT71256S70TDB 71256S70DB

描述 CMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)CMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.6INCH, CERAMIC, DIP-28

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

安装方式 - - Through Hole

引脚数 - - 28

封装 DIP DIP DIP

长度 - - 37.211 mm

宽度 - - 15.24 mm

厚度 - - 1.65 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 3A001 3A001 -

工作温度 - - -55℃ ~ 125℃

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