JAN2N7236和JANS2N7236

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N7236 JANS2N7236 JANTX2N7236

描述 MOSFET P-CH 100V 18A TO-254AATO-254AA P-CH 100V 18APower Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 3 3 3

封装 TO-254-3 TO-254 TO-254

耗散功率 4W (Ta), 125W (Tc) - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 4W (Ta), 125W (Tc) 125000 mW 125000 mW

极性 - P-CH -

连续漏极电流(Ids) - 18A -

输入电容(Ciss) - 1400pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds)

封装 TO-254-3 TO-254 TO-254

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台