对比图
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN沟道,600V,12A,650mΩ@10V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 600 V 600 V
额定电流 10.5 A 12.0 A
漏源极电阻 700 mΩ 650 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 55 W 51 W
输入电容 1.90 nF 1.90 nF
栅电荷 54.0 nC 54.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.80 A 5.80 A
上升时间 115 ns 85 ns
输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 2290pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 55 W 51 W
下降时间 85 ns 90 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 55W (Tc) 51W (Tc)
额定功率 - 51 W
通道数 - 1
长度 10.67 mm 10.67 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm
高度 16.3 mm 15.87 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99
香港进出口证 - NLR