对比图
描述 BST39 系列 NPN 350 V 500 mA 1 W 高压 晶体管-SOT-89NXP BST39,115 单晶体管 双极, NPN, 350 V, 70 MHz, 1.3 W, 100 mA, 40 hFE
数据手册 --
制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 3
封装 SOT-89-3 SOT-89-3
频率 - 70 MHz
针脚数 - 3
极性 NPN NPN
耗散功率 2000 mW 1.3 W
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 40 @20mA, 10V
额定功率(Max) 1 W 1.3 W
直流电流增益(hFE) - 40
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1000 mW -
额定电压(DC) 350 V -
额定电流 500 mA -
宽度 - 2.6 mm
封装 SOT-89-3 SOT-89-3
长度 - -
高度 - -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
材质 Silicon -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 -