BCP56和BCP56-16

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56 BCP56-16 BCP56T3G

描述 NPN 通用放大器BCP56-16 NPN三极管 100V 1A 130MHz 100~250 500mV/0.5V SOT-223 marking/标记 BCP56ON SEMICONDUCTOR  BCP56T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 4

封装 SOT-223-4 SOT-223-4 TO-261-4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.5 W 640 mW 1.5 W

频率 130 MHz - 130 MHz

额定电压(DC) - - 80.0 V

额定电流 - - 1.00 A

针脚数 3 - 4

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - 80 V

集电极最大允许电流 1A - 1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V - 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1 W - 1.5 W

直流电流增益(hFE) 25 - 25

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1 W - 1.5 W

最大电流放大倍数(hFE) 160 - -

封装 SOT-223-4 SOT-223-4 TO-261-4

长度 6.5 mm - 6.5 mm

宽度 3.5 mm - 3.5 mm

高度 1.6 mm - 1.63 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

最小包装 1000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99

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