对比图
描述 NPN 通用放大器BCP56-16 NPN三极管 100V 1A 130MHz 100~250 500mV/0.5V SOT-223 marking/标记 BCP56ON SEMICONDUCTOR BCP56T3G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 3 4
封装 SOT-223-4 SOT-223-4 TO-261-4
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1.5 W 640 mW 1.5 W
频率 130 MHz - 130 MHz
额定电压(DC) - - 80.0 V
额定电流 - - 1.00 A
针脚数 3 - 4
击穿电压(集电极-发射极) 80 V - 80 V
集电极最大允许电流 1A - 1A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V - 40 @150mA, 2V
额定功率(Max) 1 W - 1.5 W
直流电流增益(hFE) 25 - 25
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 1 W - 1.5 W
最大电流放大倍数(hFE) 160 - -
封装 SOT-223-4 SOT-223-4 TO-261-4
长度 6.5 mm - 6.5 mm
宽度 3.5 mm - 3.5 mm
高度 1.6 mm - 1.63 mm
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
最小包装 1000 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃
ECCN代码 - - EAR99