DTA123E和DTA123EET1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA123E DTA123EET1G

描述 PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SMT-3 SC-75-3

额定电压(DC) - -50.0 V

额定电流 - -100 mA

无卤素状态 - Halogen Free

极性 PNP PNP

耗散功率 - 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 8 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

封装 SMT-3 SC-75-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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