TLE2022QDRG4Q1和TLE2022QDRQ1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2022QDRG4Q1 TLE2022QDRQ1 TLE2022ID

描述 神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS神剑高速低功耗精密POERATIONAL放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION POERATIONAL AMPLIFIERSExcalibur TLE 系列### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 20.0 V

输出电流 - ≤30 mA ≤30 mA

供电电流 550 µA 550 µA 550 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - - 8

耗散功率 - - 725 mW

共模抑制比 85dB ~ 100dB 85dB ~ 100dB 85 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 1.70 MHz 1.70 MHz 1.2 MHz

转换速率 500 mV/μs 500 mV/μs 500 mV/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 150 µV 150 µV 150 µV

输入偏置电流 35 nA 35 nA 35 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - - 2.8 MHz

耗散功率(Max) - - 725 mW

共模抑制比(Min) 85 dB 85 dB 85 dB

电源电压(Max) 40 V 40 V 40 V

电源电压(Min) 4 V 4 V 4 V

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

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