对比图
型号 KSP2222ABU P2N2222A MMBT2222AWT1G
描述 小信号 NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier Transistors(NPN Silicon)NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-226-3 TO-226-3 SC-70-3
频率 300 MHz - 300 MHz
额定电压(DC) - 40.0 V 40.0 V
额定电流 - 600 mA 28.0 A
针脚数 3 - 3
极性 - N-Channel NPN
耗散功率 625 mW 1.5 W 150 mW
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V
集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 150 mW
直流电流增益(hFE) 35 - 300
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW - 150 mW
长度 4.58 mm 5.2 mm 2.2 mm
宽度 3.86 mm 4.19 mm 1.35 mm
高度 4.58 mm 5.33 mm 1 mm
封装 TO-226-3 TO-226-3 SC-70-3
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Bag Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -
ECCN代码 - - EAR99