对比图
型号 BUK9612-55B BUK9612-55B,118
描述 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0133ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FETD2PAK N-CH 55V 79A
数据手册 --
制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
封装 - TO-263-3
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 - TO-263-3
高度 - 4.5 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
极性 - N-CH
耗散功率 - 157 W
漏源极电压(Vds) - 55 V
连续漏极电流(Ids) - 79A
上升时间 - 101 ns
输入电容(Ciss) - 3693pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 157 W
下降时间 - 75 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 157W (Tc)
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)