JAN2N3440和JANTXV2N3440L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3440 JANTXV2N3440L JANTXV2N3440

描述 Trans GP BJT NPN 250V 1A 3Pin TO-39TO-5 NPN 250V 1AJANTXV Series 250V 1A Through Hole NPN Low Power Silicon Transistor - TO-39

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-39 TO-5 TO-39

引脚数 3 - 3

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

集电极最大允许电流 - 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

耗散功率 - - 0.8 W

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 800 mW - 800 mW

封装 TO-39 TO-5 TO-39

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99

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