对比图
型号 2SK357 FDA28N50F IXFH26N50P
描述 High Speed / High Voltage Switching Applications / DC-DC ConverterUniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-3-3 TO-247-3
耗散功率 - 310000 mW 400 W
漏源极电压(Vds) - 500 V 500 V
上升时间 - 137 ns 25 ns
输入电容(Ciss) - 3975pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 310 W 400 W
下降时间 - 101 ns 20 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 310 W 400W (Tc)
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 26.0 A
漏源极电阻 - - 230 mΩ
极性 - - N-Channel
输入电容 - - 3.60 nF
栅电荷 - - 60.0 nC
漏源击穿电压 - - 500 V
连续漏极电流(Ids) - - 26.0 A
长度 - 15.8 mm 16.26 mm
宽度 - 5 mm 5.3 mm
高度 - 20.1 mm 21.46 mm
封装 - TO-3-3 TO-247-3
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)