FF450R12KT4HOSA1和SKM400GB12V

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FF450R12KT4HOSA1 SKM400GB12V

描述 INFINEON  FF450R12KT4HOSA1  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON  SKM400GB12V  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 612 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Semikron (赛米控)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

引脚数 7 7

封装 62MM-1 Module

针脚数 7 7

极性 NPN Dual N-Channel

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率 2.4 kW -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V -

输入电容(Cies) 28nF @25V -

额定功率(Max) 2400 W -

耗散功率(Max) 2400000 mW -

封装 62MM-1 Module

长度 106.4 mm -

宽度 61.4 mm -

高度 30.9 mm -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 2018/06/27 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active -

包装方式 Tray -

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