D45VH10和D45VH10G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D45VH10 D45VH10G

描述 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSPNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V

额定电流 -15.0 A -15.0 A

极性 Dual P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 83.0 W 83 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 15A 15A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 1V 20 @4A, 1V

额定功率(Max) 83 W 83 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

频率 - 50 MHz

针脚数 - 3

增益频宽积 - 50 MHz

热阻 - 62.5℃/W (RθJC)

直流电流增益(hFE) - 35

耗散功率(Max) - 83 W

高度 9.28 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.28 mm

宽度 - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Rail Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

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