SPA17N80C3和SPP17N80C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPA17N80C3 SPP17N80C3 IXKC25N80C

描述 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  SPP17N80C3.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 VISOPLUS N-CH 800V 25A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3-1 TO-220-3

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 17.0 A 17.0 A -

额定功率 42 W 208 W -

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.25 Ω 0.25 Ω 150 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 42 W 227 W -

阈值电压 3 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V - 800 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 17A 25A

上升时间 15 ns 15 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 2320pF @25V(Vds) 2320pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 42 W 208 W -

下降时间 6 ns 6 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 42W (Tc) 208W (Tc) -

长度 10.65 mm 10.36 mm 11 mm

宽度 4.85 mm 4.4 mm 5 mm

高度 16.15 mm 9.45 mm 16 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3-1 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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