IXFQ14N80P和IXFV14N80P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFQ14N80P IXFV14N80P IXFV14N80PS

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3Pin(3+Tab) TO-3PPLUS N-CH 800V 14APLUS220 N-CH 800V 14A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-3-3 TO-220-3 PLUS-220SMD

通道数 1 - -

漏源极电阻 700 mΩ - -

耗散功率 400 W 400 W 400W (Tc)

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V - -

上升时间 29 ns - -

输入电容(Ciss) 3900pF @25V(Vds) 3900pF @25V(Vds) 3900pF @25V(Vds)

下降时间 27 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

极性 - N-CH N-CH

连续漏极电流(Ids) - 14A 14A

额定功率(Max) - 400 W -

长度 15.8 mm - -

宽度 4.9 mm - -

封装 TO-3-3 TO-220-3 PLUS-220SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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