BCV26E6327和SMBTA64E6327

对比图

型号 BCV26E6327 SMBTA64E6327 SMBTA63E6327

描述 InfineonSOT-23 PNP 30V 0.5ASmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 - -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

频率 200 MHz - -

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -500 mA -500 mA -

极性 PNP PNP -

耗散功率 360 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 20000 20000 @100mA, 5V -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 360 mW - -

额定功率(Max) - 330 mW -

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.9 mm - -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

产品生命周期 End of Life Obsolete Obsolete

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

工作温度 - 150℃ (TJ) -