SM8S11-E3/2D和SM8S11HE3/2D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SM8S11-E3/2D SM8S11HE3/2D

描述 TVS DIODE 11V 6600W UNI DO218ABDiode TVS Single Uni-Dir 11V 6.6kW 2Pin DO-218AB T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-218AB DO-218AB

钳位电压 20.1 V 20.1 V

脉冲峰值功率 6600 W 6600 W

最小反向击穿电压 12.2 V 12.2 V

击穿电压 12.2 V -

耗散功率 6.6 kW -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

长度 - 13.7 mm

封装 DO-218AB DO-218AB

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Obsolete -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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