IXTK120N25P和IXTV110N25TS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTK120N25P IXTV110N25TS IXFK120N25

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXTK120N25P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 120 A, 250 V, 24 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3Pin(3+Tab) TO-264AA

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-264-3 PLUS-220SMD TO-264-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.024 Ω - 22 mΩ

极性 N-Channel - -

耗散功率 700 W 694W (Tc) 560 W

阈值电压 5 V - -

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 120 A - -

上升时间 33 ns - 38 ns

输入电容(Ciss) 8000pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 700 W - -

下降时间 33 ns - 35 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 700W (Tc) 694W (Tc) 560W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 250 V

封装 TO-264-3 PLUS-220SMD TO-264-3

长度 - - 19.96 mm

宽度 - - 5.13 mm

高度 - - 26.16 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - - EAR99

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