对比图
型号 IXTH90P10P IXTT90P10P
描述 Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3Pin(3+Tab) TO-247P沟道 100V 90A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-3
通道数 1 -
耗散功率 462 W 462 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
上升时间 77 ns 77 ns
输入电容(Ciss) 5800pF @25V(Vds) 5800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 462 W 462 W
下降时间 32 ns 32 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 462W (Tc) 462W (Tc)
漏源极电阻 - 25 mΩ
漏源击穿电压 - 100 V
封装 TO-247-3 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free