2N7002E和BST120

对比图

型号 2N7002E BST120 ST120

描述 Small Signal Field-Effect Transistor,BST120 P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 6ohm SOT-89 marking/标记 LM 高速开关 无二次击穿Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 LiteOn (光宝) NXP (恩智浦) Yageo (国巨)

分类

封装 - SOT-89 -

极性 - P-CH -

漏源极电压(Vds) - 60 V -

连续漏极电流(Ids) - 0.3A -

上升时间 3.5 ns - -

输入电容(Ciss) 30pF @25V(Vds) - -

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 830 mW - -

封装 - SOT-89 -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant