SI3437DV-T1-GE3和SI3475DV-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI3437DV-T1-GE3 SI3475DV-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOPMOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61Ω @ 10V

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6

耗散功率 2W (Ta), 3.2W (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 200 V

输入电容(Ciss) 510pF @50V(Vds) 500pF @50V(Vds)

耗散功率(Max) 2W (Ta), 3.2W (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc)

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司