S3J V6G和S3J V7G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S3J V6G S3J V7G

描述 DIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

数据手册 --

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2

封装 DO-214AB DO-214AB

正向电压 - 1.15 V

反向恢复时间 1.5 µs 1.5 µs

正向电流 - 3000 mA

正向电流(Max) - 3000 mA

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 DO-214AB DO-214AB

产品生命周期 - Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 无铅 无铅

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