IS43LR16800F-6BLI和IS43LR16800G-6BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43LR16800F-6BLI IS43LR16800G-6BLI

描述 动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 166MHz Mobile DDR 1.8v128m, 1.8V, Mobile Ddr, 8mx16, 166MHz, 60 Ball Bga (8mmx10mm) Rohs, It

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60

封装 BGA-60 TFBGA-60

供电电流 85 mA 80 mA

位数 - 16

存取时间 5.5 ns 5.5 ns

存取时间(Max) 8ns, 5.5ns 6 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

封装 BGA-60 TFBGA-60

高度 0.7 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99

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