199D105X9020AXB1E3和199D105X9035AXB1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D105X9020AXB1E3 199D105X9035AXB1E3 199D105X9025AXB1E3

描述 CAP TANT 1uF 20V 10% RADIALCap Tant Solid 1uF 35V 10% (4.4 X 7.11mm) Radial 2.54mm 125℃ T/R199D 系列 1 uF ±10 % 25 V 径向 固体电解质钽电容

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 电容电容钽电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

电容 1.00 µF 1.00 µF 1 µF

容差 ±10 % ±10 % ±10 %

额定电压 20 V 35 V 25 V

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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