2N6790和JAN2N6790

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6790 JAN2N6790

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 3.5A 3Pin TO-39N-CH 200V 3.5A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 - TO-205-3

引脚数 - -

通道数 - 1

极性 - N-CH

耗散功率 - 0.8 W

漏源极电压(Vds) - 200 V

漏源击穿电压 - 200 V

连续漏极电流(Ids) - 3.5A

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 800mW (Tc)

额定功率(Max) - -

封装 - TO-205-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

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