2N2608和JAN2N2609

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N2608 JAN2N2609 2N5460

描述 Trans JFET P-CH 3Pin TO-18JAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORSSmall Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92,

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Solitron Devices Solitron Devices

分类 JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-206 TO-18 -

击穿电压 30 V - -

额定功率(Max) 300 mW - -

封装 TO-206 TO-18 -

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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