对比图
型号 2SK216 FDD7N20TM PHD9NQ20T,118
描述 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD7N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.58 ohm, 10 V, 5 VDPAK N-CH 200V 8.7A
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
封装 TO-220 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 -
极性 N-CH N-Channel N-CH
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 0.5A 5A 8.7A
通道数 - 1 1
耗散功率 - 43 W 88 W
上升时间 - 30 ns 19 ns
输入电容(Ciss) - 250pF @25V(Vds) 959pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 43 W 88 W
下降时间 - 10 ns 15 ns
耗散功率(Max) - 43 W 88W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.58 Ω -
阈值电压 - 5 V -
漏源击穿电压 - 200 V -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 TO-220 TO-252-3 TO-252-3
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
长度 - 6.73 mm -
高度 - 2.39 mm -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -