BC859C和BC859C,215

对比图

型号 BC859C BC859C,215 BC860B

描述 Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23NXP  BC859C,215  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 420 hFEPNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

频率 - 100 MHz -

针脚数 - 3 -

极性 - PNP, P-Channel -

耗散功率 250 mW 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 250 mW -

直流电流增益(hFE) - 420 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW -

增益频宽积 100 MHz - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 - 150℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -