FLM5964-25F和FLM5964-4F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FLM5964-25F FLM5964-4F FLM5964-12F

描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IK, 2PinRF Power Field-Effect Transistor, 1Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 2PinRF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Sumitomo (住友) Sumitomo (住友) Fujitsu (富士通)

分类

基础参数对比

封装 CASE IK CASE IB CASE IK

频率 5.9GHz ~ 6.4GHz 5.9GHz ~ 6.4GHz -

封装 CASE IK CASE IB CASE IK

产品生命周期 Active Active Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

香港进出口证 NLR NLR -

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