TP2635N3和TP2635N3-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TP2635N3 TP2635N3-G

描述 Trans MOSFET P-CH 400V 0.18A 3Pin TO-92Trans MOSFET P-CH 400V 0.18A 3Pin TO-92

数据手册 --

制造商 Supertex (超科) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-92 TO-92-3

漏源极电阻 15.0 Ω -

极性 P-Channel -

耗散功率 1.00 W 1 W

栅源击穿电压 ±20.0 V -

额定功率 - 1 W

漏源极电压(Vds) - 350 V

上升时间 - 15 ns

输入电容(Ciss) - 300pF @25V(Vds)

下降时间 - 40 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1W (Ta)

封装 TO-92 TO-92-3

长度 - 5.21 mm

宽度 - 4.19 mm

高度 - 5.33 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

ECCN代码 - -

HTS代码 - -

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