BCR35PN和UMD9NTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR35PN UMD9NTR PUMD9,115

描述 NPN / PNP硅数字晶体管阵列 NPN/PNP Silicon Digital Transistor ArrayNPN+PNP 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.NXP  PUMD9,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-363 SC-70-6 TSSOP-6

引脚数 - 6 6

极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN, PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

额定电流 - 70.0 mA -

额定功率 - 0.15 W -

通道数 - 2 -

耗散功率 - 0.15 W 200 mW

最小电流放大倍数(hFE) - 68 @5mA, 5V 100 @5mA, 5V

额定功率(Max) - 150 mW 300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) - 300 mW -

针脚数 - - 6

直流电流增益(hFE) - - 100

封装 SOT-363 SC-70-6 TSSOP-6

长度 - 2.1 mm 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm 1.35 mm

高度 - 0.9 mm 1 mm

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

香港进出口证 NLR - NLR

ECCN代码 - EAR99 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

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