ZTX605和BC879,112

对比图

型号 ZTX605 BC879,112 BC879

描述 DIODES INC.  ZTX605  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 150 MHz, 1 W, 1 A, 5000 hFESPT NPN 80V 1ANPN Darlington transistors

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 E-Line-3 TO-226-3 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 80 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @1A, 5V 2000 @500mA, 10V -

额定功率(Max) 1 W 830 mW -

额定电压(DC) 120 V - -

额定电流 1.00 A - -

针脚数 3 - -

耗散功率 1 W - -

最大电流放大倍数(hFE) 2000 - -

直流电流增益(hFE) 5000 - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

增益带宽 150MHz (Min) - -

耗散功率(Max) 1 W - -

封装 E-Line-3 TO-226-3 -

长度 4.77 mm - -

宽度 2.41 mm - -

高度 4.01 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -