JAN1N4112-1和JANTXV1N4112-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N4112-1 JANTXV1N4112-1 1N4112TRLEADFREE

描述 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODESZener Diode, 18V V(Z), 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-204AH DO-35-2 -

引脚数 - 2 -

容差 ±5 % ±5 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

稳压值 18 V 18 V -

耗散功率 - 0.5 W -

测试电流 - 0.25 mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-204AH DO-35-2 -

长度 - 5.08 mm -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 -

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