对比图
型号 IXFH35N30S IXTQ36N30P IXTP36N30P
描述 Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 300V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247ADN沟道 300V 36AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-3-3 TO-220-3
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 - 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) - 300 V 300 V
连续漏极电流(Ids) - 36A 36A
上升时间 - 30 ns 30 ns
输入电容(Ciss) - 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 300 W
下降时间 - 28 ns 28 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.092 Ω
阈值电压 - - 5.5 V
封装 - TO-3-3 TO-220-3
长度 - - 10.66 mm
宽度 - - 4.83 mm
高度 - - 9.15 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tube -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free