对比图
型号 PH2525L PH2625L,115 PH2525L,115
描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETLFPAK N-CH 25V 100ALFPAK N-CH 25V 100A
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
封装 SOT-669 SOT-669 Power-SO8
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
极性 N-CH N-Channel N-CH
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 100A 100 A 100A
耗散功率 - 62.5 W 62.5 W
上升时间 - 52 ns 92 ns
输入电容(Ciss) - 4308pF @12V(Vds) 4470pF @12V(Vds)
额定功率(Max) - 62.5 W 62.5 W
下降时间 - 30 ns 37 ns
耗散功率(Max) - - 62.5W (Tc)
封装 SOT-669 SOT-669 Power-SO8
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃