IXTH02N250和IXTV02N250S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH02N250 IXTV02N250S IXTA02N250HV

描述 N沟道,2500V,200mA,450Ω@10VPLUS220 N-CH 2500V 0.2ATO-263AB N-CH 2500V 0.2A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

封装 TO-247-3 PLUS-220SMD TO-263-3

引脚数 3 - 3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 83W (Tc) 83W (Tc) 83 W

漏源极电压(Vds) 2500 V 2500 V 2500 V

连续漏极电流(Ids) 0.2A 0.2A 0.2A

输入电容(Ciss) 116pF @25V(Vds) 116pF @25V(Vds) 116pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc) 83W (Tc)

上升时间 19 ns - 19 ns

下降时间 33 ns - 33 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 TO-247-3 PLUS-220SMD TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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