对比图
型号 IPP65R150CFD IPP65R150CFDA IPP65R150CFDAAKSA1
描述 Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能TO-220 N-CH 650V 22.4AN沟道 650V 22.4A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 195.3 W 195.3 W 195.3 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 22.4A 22.4A 22.4A
上升时间 7.6 ns 7.6 ns 7.6 ns
输入电容(Ciss) 2340pF @100V(Vds) 2340pF @100V(Vds) 2340pF @100V(Vds)
下降时间 5.6 ns 5.6 ns 5.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 195.3 W 195300 mW 195.3W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 135 mΩ -
阈值电压 - 3.5 V -
漏源击穿电压 - 650 V -
长度 10 mm 10 mm -
宽度 4.4 mm 4.4 mm -
高度 15.65 mm 15.65 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
ECCN代码 EAR99 - -