对比图
描述 DIODES INC. DMP1045U 晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, 5.2 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -0.55 VVISHAY SI2333DDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -12 V, 0.023 ohm, -4.5 V, 400 mV
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23 SOT-23-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.026 Ω 0.023 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 800 mW 1.7 W
阈值电压 - 400 mV
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1.7 W
长度 - 3.04 mm
宽度 - 1.4 mm
高度 - 1.02 mm
封装 SOT-23 SOT-23-3
包装方式 - Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -