DS1245YP-70和DS1245YP-70IND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245YP-70 DS1245YP-70IND DS1245YP-70IND+

描述 1024K Nonvolatile SRAM1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAMIC NVSRAM 1Mbit 70NS 34PCM

数据手册 ---

制造商 Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - PowerCap-34 PowerCap-34

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 - 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 - 200 ns 70 ns

内存容量 - 1000000 B 1000000 B

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - 40 ℃ -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.25 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.5 V

长度 - 23.5 mm -

宽度 - 25.02 mm 25.02 mm

高度 - 2.03 mm -

封装 - PowerCap-34 PowerCap-34

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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