FQA90N10V2和STW120NF10

对比图

型号 FQA90N10V2 STW120NF10

描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STW120NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 9 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-3-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 100 V

额定电流 - 120 A

针脚数 - 3

漏源极电阻 10 mΩ 0.009 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 330 W 312 W

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 5.20 nF

栅电荷 - 233 nC

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 105 A 110 A

上升时间 492 ns 90 ns

输入电容(Ciss) 6150pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 330 W 312 W

下降时间 355 ns 68 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 330W (Tc) 312W (Tc)

通道数 1 -

长度 16.2 mm 15.75 mm

宽度 5 mm 5.15 mm

高度 20.1 mm 20.15 mm

封装 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -