IRFIBC40G和IRFIBC40GPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFIBC40G IRFIBC40GPBF

描述 Mosfet n-Ch 600V 3.5A To220fpMOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 40W (Tc) 40000 mW

上升时间 - 18 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

下降时间 - 20 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V -

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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