IS42S32800B-7TL和IS42S32800D-7TL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32800B-7TL IS42S32800D-7TL MT48LC8M32B2P-6

描述 Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.4INCH, 0.5MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAMDRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86Pin TSOP Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 86 86 86

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP

供电电流 - 150 mA -

时钟频率 143MHz (max) 143 MHz -

位数 - 32 32

存取时间 5.5 ns 5.4 ns -

存取时间(Max) - 6.5ns, 5.4ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3.3 V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

频率 143 MHz - -

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

内存容量 256000000 B - -

长度 - 22.42 mm -

宽度 10.16 mm 10.29 mm -

高度 - 1.05 mm -

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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